一種增加出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910105904.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN101820037A 公開（公告）日 2010-09-01
申請公布號(hào) CN101820037A 申請公布日 2010-09-01
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳大可;朱國雄 申請（專利權(quán)）人 世紀(jì)晶源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518107 廣東省深圳市光明新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地(世紀(jì)晶源)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種增加出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括疊置在一起的透明鈍化層，壓焊點(diǎn)，透明電極，n電極，外延層，藍(lán)寶石襯底，爆料及反射層及高導(dǎo)熱基座層，所述的透明電極上還設(shè)置有一微透鏡層；本發(fā)明通過在透明電極上設(shè)置微透鏡結(jié)構(gòu)，增加LED芯片的整體出光效率，大幅提升芯片的外量子效率，高導(dǎo)熱基座能夠在芯片處于大電流工作條件下有效的克服藍(lán)寶石導(dǎo)熱效率差的缺點(diǎn)，將熱傳導(dǎo)至封裝基座上，維持芯片在大電流條件下的出光效率，本發(fā)明的芯片結(jié)構(gòu)為LED正裝結(jié)構(gòu)，較垂直結(jié)構(gòu)LED工藝簡單，能夠有效的應(yīng)用于大功率LED領(lǐng)域。