一種陶瓷襯底蝕刻殘留物的去除蝕刻液及蝕刻方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110574520.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113481508A | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113481508A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
分類號(hào) | C23F1/18(2006.01)I;C23F1/34(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 朱德權(quán);徐榮軍;黃世東;季瑋;王海龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 紹興德匯半導(dǎo)體材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 廖銀洪 |
地址 | 312000浙江省紹興市越城區(qū)平江路2號(hào)紹興水木灣區(qū)科學(xué)園3號(hào)樓8層801 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其為一種陶瓷襯底蝕刻殘留物的去除蝕刻液及蝕刻方法,所述所述蝕刻液包括蝕刻液A和蝕刻液B,蝕刻液A和蝕刻液B包含過(guò)氧化氫、氨水、硫酸、結(jié)構(gòu)含有羥基、羧基及其鹽類、有機(jī)胺以及表面活性劑中的一種或多種組合物,所述蝕刻液用于對(duì)銅蝕刻后覆銅陶瓷襯底的焊料殘留物及接合層進(jìn)行去除。本發(fā)明摒棄了使用傳統(tǒng)的硝酸體系、氰絡(luò)物復(fù)鹽體系、蝕刻液中不含氰及磷,可有效去除銅蝕刻后殘留的蝕刻焊料,制得的覆銅陶瓷襯底具有使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn),且蝕刻時(shí)對(duì)銅腐蝕小,蝕刻徹底,銅表面狀態(tài)好。 |
