一種超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210243219.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114628571A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114628571A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L39/24（2006.01）I;H01L39/22（2006.01）I;H01L39/00（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡志偉;邱祥岡 申請（專利權(quán)）人 中國科學(xué)院物理研究所
代理機構(gòu) 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例涉及一種超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)及其制備方法，包括：在本征硅襯底上通過磁控濺射設(shè)備依次制備第一Nb層、Al?Al 2O3層和第二Nb層得到具有三層結(jié)構(gòu)的樣品；通過電子束曝光在三層結(jié)構(gòu)上形成結(jié)區(qū)；通過反應(yīng)離子刻蝕去除所述待刻蝕區(qū)域中的第二Nb層；化學(xué)氣相淀積S i3N4絕緣層；通過剝離工藝去除正性電子束抗蝕劑ZEP520及淀積在所述正性電子束抗蝕劑ZEP520上的S i3N4絕緣層；將樣品進行化學(xué)氣相淀積S i 3N4絕緣層，通過光刻和反應(yīng)離子刻蝕去除結(jié)區(qū)上方的S i 3N4絕緣層，形成接觸孔；進行樣品表面清潔后再磁控濺射制備第三Nb層，通過光刻和反應(yīng)離子刻蝕去除接觸孔所在投影區(qū)域以外區(qū)域的第三Nb層；對所得樣品進行清洗后即得到超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)。