電極結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910752870.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110364524B 公開（公告）日 2022-06-17
申請公布號 CN110364524B 申請公布日 2022-06-17
分類號 H01L27/06（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜益成;王猛;喻慧 申請（專利權(quán)）人 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種電極結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及電極結(jié)構(gòu)的制造方法，所述電極結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體基底；由所述半導(dǎo)體基底上表面延伸至所述半導(dǎo)體基底內(nèi)部的溝槽；由所述半導(dǎo)體基底的上表面延伸至所述半導(dǎo)體基底內(nèi)部的接觸區(qū),以及填充在溝槽內(nèi)部的填充材料，其中，所述接觸區(qū)與所述溝槽外側(cè)壁相接觸。本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)用于吸收半導(dǎo)體中電子/空穴，以防止半導(dǎo)體中的寄生結(jié)構(gòu)導(dǎo)通。另外，所述電極結(jié)構(gòu)的面積較小，降低了制造成本。