一種基于單電子傳輸原理的單向?qū)ㄟ壿嬈骷?/p>
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111093829.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113871490A | 公開(公告)日 | 2021-12-31 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113871490A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-31 |
分類號(hào) | H01L29/885(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳敏瑞;謝波;韓民;韓芳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江固微科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣東有知貓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙皕 |
地址 | 311400浙江省杭州市富陽區(qū)銀湖街道創(chuàng)意路1號(hào)C2號(hào)樓7樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種基于單電子傳輸原理的單向?qū)ㄟ壿嬈骷K龌趩坞娮觽鬏斣淼膯蜗驅(qū)ㄟ壿嬈骷ㄒ黄砻嫫秸慕^緣襯底,所述絕緣襯底的表面設(shè)有一對(duì)用以施加偏壓并測(cè)量微電流的金屬導(dǎo)電對(duì)電極,所述金屬導(dǎo)電對(duì)電極內(nèi)嵌入一個(gè)局部區(qū)域覆蓋率沿垂直于電極方向梯度漸變的納米粒子點(diǎn)陣薄膜。本發(fā)明提供的基于單電子傳輸原理的單向?qū)ㄟ壿嬈骷哂刑荻燃{米粒子點(diǎn)陣薄膜對(duì)于電子的傳導(dǎo)具有單向?qū)ㄐ裕梢宰鳛閱坞娮佣O管應(yīng)用于集成化電子電路當(dāng)中,由于單電子器件的阻抗源于量子隧穿中的勢(shì)壘,電子傳導(dǎo)產(chǎn)生的焦耳熱將大大降低,從而大幅抑制了集成化電路產(chǎn)熱,對(duì)于電路性能穩(wěn)定具有極佳效果的優(yōu)點(diǎn)。 |
