一種低溫、低電壓陽極鍵合基板材料及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811167938.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109206015A | 公開(公告)日 | 2019-01-15 |
申請公布號 | CN109206015A | 申請公布日 | 2019-01-15 |
分類號 | C03C10/12;H01L23/29;C03B32/02 | 分類 | 玻璃;礦棉或渣棉; |
發(fā)明人 | 李永祥;陳冠羽;劉志甫;馬名生;魏安慶 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江矽瓷科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海瀚橋?qū)@硎聞?wù)所(普通合伙) | 代理人 | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所;浙江矽瓷科技有限公司 |
地址 | 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種低溫、低電壓陽極鍵合基板材料及其制備方法,所述陽極鍵合基板材料的組分包括A2O?MOx?SiO2,其中A為Li、Na、K中的至少一種;M為B、Al、Ga、In、Mg、Ca、P、V、Cu、Mn中的至少兩種;A2O含量為10~50 wt%,MOx含量為5~40 wt%,SiO2含量為10~70 wt%,各組分含量之和為100wt%。 |
