一種低溫、低電壓陽(yáng)極鍵合基板材料及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811167938.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109206015A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-01-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109206015A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | C03C10/12;H01L23/29;C03B32/02 | 分類(lèi) | 玻璃；礦棉或渣棉; |
| 發(fā)明人 | 李永祥;陳冠羽;劉志甫;馬名生;魏安慶 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 浙江矽瓷科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙） | 代理人 | 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所;浙江矽瓷科技有限公司 |
| 地址 | 200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種低溫、低電壓陽(yáng)極鍵合基板材料及其制備方法，所述陽(yáng)極鍵合基板材料的組分包括A2O?MOx?SiO2，其中A為L(zhǎng)i、Na、K中的至少一種；M為B、Al、Ga、In、Mg、Ca、P、V、Cu、Mn中的至少兩種；A2O含量為10～50 wt%，MOx含量為5～40 wt%，SiO2含量為10～70 wt%，各組分含量之和為100wt%。 |
