一種雙層AIN壓電薄膜水聽(tīng)器芯片單元、芯片以及水聽(tīng)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111140667.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN114034377A 公開(kāi)(公告)日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114034377A 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類(lèi)號(hào) G01H11/08(2006.01)I;H01L41/113(2006.01)I;H01L41/047(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 楊華;王曉波;張浩 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 青島國(guó)數(shù)信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島錦佳專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 朱玉建
地址 266000山東省青島市即墨市青島藍(lán)色硅谷創(chuàng)業(yè)中心一期海創(chuàng)中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙層AIN壓電薄膜水聽(tīng)器芯片單元,其包括由下向上依次設(shè)置的SOI基片、第一AIN壓電層、第一電極層、隔離層、第二AIN壓電層以及第二電極層;第一電極層與第一AIN壓電層的外緣輪廓的形狀和大小均相同;第一電極層包括第一正電極和第一負(fù)電極;第一正電極設(shè)置于第一電極層的中心區(qū)域且呈圓形;第一負(fù)電極設(shè)置于第一電極層的外側(cè)邊緣區(qū)域且呈環(huán)形;第二電極層與第二AIN壓電層的外緣輪廓的形狀和大小均相同;第二電極層包括第二正電極和第二負(fù)電極;第二正電極設(shè)置于第二電極層的中心區(qū)域且呈圓形;第二負(fù)電極設(shè)置于第二電極層的外側(cè)邊緣區(qū)域且呈環(huán)形。本發(fā)明利于提高壓電效率以及壓電電荷的采集效率,從而提高水聽(tīng)器芯片的靈敏度。