一種AIN壓電薄膜水聽器芯片單元、芯片以及水聽器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111140669.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114034370A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號(hào) CN114034370A 申請公布日 2022-02-11
分類號(hào) G01H3/06（2006.01）I;H01L41/113（2006.01）I;H01L41/047（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 楊華;王曉波;張浩 申請（專利權(quán)）人 青島國數(shù)信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 青島錦佳專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱玉建
地址 266000山東省青島市即墨市青島藍(lán)色硅谷創(chuàng)業(yè)中心一期海創(chuàng)中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種AIN壓電薄膜水聽器芯片單元、芯片以及水聽器。其中，AIN壓電薄膜水聽器芯片單元，包括由下向上依次設(shè)置的SOI基片、AIN壓電層以及電極層；其中，電極層包括正電極和負(fù)電極；正電極設(shè)置于電極層的中心區(qū)域，且呈圓形；負(fù)電極設(shè)置于電極層的外側(cè)邊緣區(qū)域，且呈環(huán)形；其中，正電極所占面積為電極層面積的70％，負(fù)電極所占面積為電極層面積的20％。本發(fā)明通過改進(jìn)AIN壓電薄膜水聽器芯片單元中正負(fù)電極的排布方式，利于提高水聽器芯片單元的正負(fù)電荷采集效率，進(jìn)而增加了正電極與負(fù)電極之間的電勢差，從而提高了AIN壓電薄膜水聽器芯片的靈敏度，進(jìn)一步保證了水聽器的靈敏度。