一種基于磁控濺射和刻蝕處理制備ITO薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111635703.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114318264A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318264A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 陳桂林;章學堤;黃慶;許德 申請（專利權(quán)）人 福建富蘭光學股份有限公司
代理機構(gòu) 福州旭辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 程春寶
地址 350018福建省福州市倉山區(qū)建新鎮(zhèn)金山大道618號桔園洲工業(yè)園25棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于磁控濺射和刻蝕處理制備ITO薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：步驟S1、旋轉(zhuǎn)襯底，通過清水對襯底表面進行清洗；步驟S2、將聚苯乙烯微球均勻旋涂在所述襯底的表面上；步驟S3、將聚苯乙烯微球進行氧等離子體刻蝕操作，改善聚苯乙烯微球的尺寸；步驟S4、在真空條件下將ITO靶材濺射在所述襯底表面上，形成ITO薄膜，沉積一段時間；步驟S5、將ITO薄膜放在甲苯溶液中進行超聲處理，從而刻蝕聚苯乙烯微球，最后得到ITO薄膜，實現(xiàn)ITO薄膜的制備。