一種基于深度學習的SiC二極管特性曲線預測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210320222.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114692498A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114692498A 申請公布日 2022-07-01
分類號 G06F30/27（2020.01）I;G06N3/04（2006.01）I;G06N3/08（2006.01）I 分類 計算；推算；計數;
發(fā)明人 王樹龍;劉晨鈺;劉艷;陳棟梁;郝躍;韓根全 申請（專利權）人 西安電子科技大學
代理機構 西安睿通知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 710071陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微電子器件及神經網絡深度學習領域，具體涉及一種基于深度學習的SiC二極管特性曲線預測方法。本發(fā)明使用深度學習神經網絡快速且便捷地預測出碳化硅二極管的反向特性曲線和正向特性曲線，且有較高的準確率，降低了傳統(tǒng)仿真方法的人力、時間成本。