基于無金工藝的硅基氮化鎵高功率射頻器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011627341.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114695521A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695521A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;蘆浩;侯斌;楊凌;司澤艷;杜佳樂;郝躍 申請（專利權）人 西安電子科技大學
代理機構 西安嘉思特知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 710000陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于無金工藝的硅基氮化鎵高功率射頻器件及其制備方法，所述制備方法包括：獲取外延基片并進行清洗，外延基片自下而上依次包括襯底、成核層、緩沖層和勢壘層；在外延基片有源區(qū)邊緣刻蝕臺面至緩沖層，形成有源區(qū)域隔離；在勢壘層上刻蝕圖形化陣列凹槽，并在圖形化陣列凹槽中沉積合金歐姆金屬形成歐姆預沉積層；在勢壘層上形成源電極和漏電極，源電極和漏電極位于歐姆預沉積層上方；在勢壘層、源電極和漏電極上形成鈍化層；在源電極與漏電極之間的勢壘層上形成梯形形狀的柵電極；制作背通孔，并在背通孔中形成完成源電極互聯(lián)層和鈍化層。該功率器件采用歐姆預沉積層和帶有傾斜場板的柵極，減小接觸電阻，改善溝道電場分布。