采用局部預刻蝕歐姆工藝的GaN基HEMT及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011638648.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114695522A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695522A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;侯斌;司澤艷;蘆浩;楊凌;郝躍 申請（專利權(quán)）人 西安電子科技大學
代理機構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 710000陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用局部預刻蝕歐姆工藝的GaN基HEMT及其制備方法，方法包括選取外延基片；刻蝕外延基片的有源區(qū)兩端至第一預設厚度的緩沖層，以形成電隔離區(qū)域；刻蝕第二預設厚度的勢壘層，以形成兩組圖形化陣列區(qū)域；在兩組圖形化陣列區(qū)域內(nèi)淀積合金預沉積層；在位于勢壘層和合金預沉積層上的源電極圖形區(qū)和漏電極圖形區(qū)上分別淀積歐姆金屬，以形成源電極和漏電極；在勢壘層、源電極和漏電極上生長鈍化層；刻蝕鈍化層至勢壘層表面以形成柵槽；在柵槽內(nèi)淀積柵電極金屬，以形成柵電極。本發(fā)明減小了無金歐姆接觸退火溫度和接觸電阻，降低了器件膝點電壓，提升了功率附加效率；提升了歐姆接觸表面平整度，改善了源、漏電極邊緣金屬外擴。