具有凸型溝道的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210269960.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114695565A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695565A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/812（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 賈護(hù)軍;張?jiān)品?朱順威;王歡;楊銀堂 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 西安電子科技大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安瀚匯專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710071陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種具有凸型溝道的4H?SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，自下而上包括4H?SiC半絕緣襯底、P型緩沖層和N型溝道層，所述N型溝道層表面設(shè)有源極帽層和漏極帽層，所述源極帽層和漏極帽層表面分別設(shè)有源電極和漏電極，所述源電極和漏電極之間形成凹陷的溝道表面，所述N型溝道上表面靠近源極帽層的一側(cè)形成凸型溝道，所述凸型溝道表面設(shè)有柵電極，所述凸型溝道與漏極帽層之間形成凹陷柵漏飄移區(qū)，所述凸型溝道與源極帽層之間形成柵源飄移區(qū)，所述柵電極下形成部分向上凸起的緩沖層。本發(fā)明具有直流特性大幅提升，交流特性明顯改善的優(yōu)點(diǎn)。 |
