納米線傳感器圓片級制備及封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510293115.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105004759B 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號 CN105004759B 申請公布日 2019-05-31
分類號 G01N27/00（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I; B82Y15/00（2011.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李文榮; 魏武奇; 田畑修; 金玉豐; 馬盛林; 時廣軼; 王春波 申請（專利權(quán)）人 浙江北微信息科技有限公司
代理機構(gòu) 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李相雨
地址 214100 江蘇省無錫市濱湖區(qū)繡溪路58-30
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種納米線傳感器圓片級制備及封裝方法，制備方法為：a在半導(dǎo)體圓片S1一面制備電極對陣列；b在半導(dǎo)體圓片S2上制作垂直通孔對及溶液腔；c將S1與S2對準(zhǔn)、圓片鍵合，S1上電極部分通過S2垂直通孔暴露，S2溶液腔暴露出S1上電極對一側(cè)；d在S2垂直通孔內(nèi)制造垂直引出電極、在S2表面制備電互連線對，電互連線對依次電連接S2上垂直引出電極；e滴納米線分散液至S2上的溶液腔，施加一定頻率的交變電壓，介電泳力沉積納米線后，去除分散液得到納米線傳感器圓片。本發(fā)明該能夠解決現(xiàn)有制備技術(shù)批量化、片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性差等技術(shù)難題，提高生產(chǎn)效率，提高圓片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性，降低成本。