納米線傳感器圓片級(jí)制備及封裝方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510293115.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN105004759A | 公開(kāi)(公告)日 | 2015-10-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105004759A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-10-28 |
分類號(hào) | G01N27/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 李文榮;魏武奇;田畑修;金玉豐;馬盛林;時(shí)廣軼;王春波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江北微信息科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李相雨 |
地址 | 214100 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)繡溪路58-30 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種納米線傳感器圓片級(jí)制備及封裝方法,制備方法為:a在半導(dǎo)體圓片S1一面制備電極對(duì)陣列;b在半導(dǎo)體圓片S2上制作垂直通孔對(duì)及溶液腔;c將S1與S2對(duì)準(zhǔn)、圓片鍵合,S1上電極部分通過(guò)S2垂直通孔暴露,S2溶液腔暴露出S1上電極對(duì)一側(cè);d在S2垂直通孔內(nèi)制造垂直引出電極、在S2表面制備電互連線對(duì),電互連線對(duì)依次電連接S2上垂直引出電極;e滴納米線分散液至S2上的溶液腔,施加一定頻率的交變電壓,介電泳力沉積納米線后,去除分散液得到納米線傳感器圓片。本發(fā)明該能夠解決現(xiàn)有制備技術(shù)批量化、片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性差等技術(shù)難題,提高生產(chǎn)效率,提高圓片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復(fù)性,降低成本。 |
