納米線傳感器芯片制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510293854.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104950077A 公開（公告）日 2015-09-30
申請公布號 CN104950077A 申請公布日 2015-09-30
分類號 G01N33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 李文榮;魏武奇;田畑修;金玉豐;馬盛林;時廣軼;王春波 申請（專利權）人 浙江北微信息科技有限公司
代理機構 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 李相雨
地址 214100 江蘇省無錫市濱湖區(qū)繡溪路58-30
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種納米線傳感器芯片制備方法，在半導體圓片S1一面制備電極對陣列；在半導體圓片S2上制作垂直通孔對及溶液腔；將S1與S2鍵合；在S2垂直通孔內(nèi)制造垂直引出電極、在S2表面制備電互連線對，電互連線對依次電連接S2上垂直引出電極；滴納米線分散液至S2上的溶液腔，通過S2上引出電極施加交變電壓，去除分散液；將S3與S1-S2鍵合圓片的S2暴露表面鍵合，圖形化，刻蝕半導體圓片S3，在S3圓片區(qū)域制作微孔，暴露出S2上的垂直引出電極；劃片，得到納米線傳感器芯片。該方法能夠解決現(xiàn)有制備技術批量化、片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復性差等技術難題，提高生產(chǎn)效率，提高圓片內(nèi)納米線傳感器參數(shù)重復性，降低成本。