一種AZO濺射靶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710548276.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107365967B 公開（公告）日 2019-12-10
申請公布號 CN107365967B 申請公布日 2019-12-10
分類號 C23C14/34（2006.01）; C23C14/08（2006.01） 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張?zhí)焓? 陳晨; 孔令兵; 錢邦正; 蔣衛(wèi)國 申請（專利權(quán)）人 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
代理機構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張清彥
地址 230012 安徽省合肥市新站區(qū)文忠路999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種AZO濺射靶的制備方法，包括以下步驟：將Al(NO3)3溶液加入納米ZnO懸浮液中混合均勻，保持攪拌加入沉淀劑，待沉淀完全后進行靜置陳化，沉淀物經(jīng)反復洗滌、干燥、研磨、過篩制得AZO前驅(qū)體；將AZO前驅(qū)體3～5℃/min升溫至100～200℃，保溫24小時，再以3℃/min升溫至400～600℃，保溫3～5小時，即得Al2O3包覆ZnO的粉體；將包覆粉體進行成型燒結(jié)處理后制得AZO濺射靶。本發(fā)明有效的避免了Al2O3在燒結(jié)過程中的偏析，加速納米ZnO在燒結(jié)過程中的致密度，有利于制備高電導、高透光率的AZO薄膜。