功率半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110181777.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113054011A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN113054011A 申請(qǐng)公布日 2021-06-29
分類(lèi)號(hào) H01L29/739;H01L29/06;H01L21/335 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃示;顧悅吉;周瓊瓊;韓健 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;楊思雨
地址 310018 浙江省杭州市錢(qián)塘新區(qū)10號(hào)大街（東）308號(hào)13幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種功率半導(dǎo)體器件及其制造方法，該功率半導(dǎo)體器件具有相鄰的元胞區(qū)與終端區(qū)，功率半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體層，具有相對(duì)的第一表面與第二表面；多個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)，位于元胞區(qū)，每個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)沿半導(dǎo)體層的厚度方向延伸；分壓環(huán)，位于終端區(qū)，分壓環(huán)圍繞元胞區(qū)；以及第一摻雜區(qū)，自終端區(qū)的部分分壓環(huán)向元胞區(qū)延伸，與元胞區(qū)內(nèi)的部分溝槽結(jié)構(gòu)的底部接觸，第一摻雜區(qū)部分位于分壓環(huán)暴露的臺(tái)面下方，部分位于元胞區(qū)內(nèi)的部分溝槽結(jié)構(gòu)的底部，第一摻雜區(qū)的摻雜濃度大于分壓環(huán)的摻雜濃度，通過(guò)設(shè)置第一摻雜區(qū)，減少因電場(chǎng)作用產(chǎn)生的碰撞離化電荷對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)底部的沖擊，提高了器件的二次雪崩耐量。