半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110374042.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113206143A 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113206143A 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 隋曉明;楊彥濤;陳琛;曹俊;楚婉怡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;李鎮(zhèn)江
地址 310018浙江省杭州市錢塘新區(qū)10號(hào)大街（東）308號(hào)13幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底中設(shè)置有實(shí)現(xiàn)器件功能的元胞器件結(jié)構(gòu)；位于所述襯底上方的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中設(shè)置有第一類接觸孔和第二類接觸孔，所述第一類接觸孔和第二類接觸孔貫穿所述介質(zhì)層；位于所述介質(zhì)層上方的元胞區(qū)金屬電極和終端區(qū)金屬電極，所述元胞區(qū)金屬電極填充所述第一類接觸孔，所述終端區(qū)金屬電極填充所述第二類接觸孔；位于所述元胞區(qū)金屬電極和終端區(qū)金屬電極上方的鈍化層，所述鈍化層暴露出部分所述元胞區(qū)金屬電極和部分所述介質(zhì)層。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。