逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110029852.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112768447A | 公開(公告)日 | 2021-05-07 |
申請公布號 | CN112768447A | 申請公布日 | 2021-05-07 |
分類號 | H01L27/07(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 韓健;何火軍;顧悅吉;黃示;王益來;胡一峰 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州士蘭集昕微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;李鎮(zhèn)江 |
地址 | 310018浙江省杭州市錢塘新區(qū)10號大街(東)308號13幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 公開了一種逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法,逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管包括:絕緣柵雙極型晶體管區(qū)和至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū),至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū)設(shè)置在絕緣柵雙極型晶體管區(qū)中,絕緣柵雙極型晶體管區(qū)包圍至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū);至少一個(gè)緩沖區(qū),至少一個(gè)緩沖區(qū)與至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū)對應(yīng)設(shè)置,分別位于至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū)和絕緣柵雙極型晶體管區(qū)之間,至少一個(gè)緩沖區(qū)分別包圍至少一個(gè)快速恢復(fù)二極管區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例的逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管減少了快速恢復(fù)二極管區(qū)對相鄰絕緣柵雙極型晶體管區(qū)的動(dòng)態(tài)參數(shù)的影響,減小了柵極電阻,降低了器件的開關(guān)損耗,提高了器件的可靠性。?? |
