一種微機電傳感器的背腔的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110367160.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113200511A | 公開(公告)日 | 2021-08-03 |
申請公布號 | CN113200511A | 申請公布日 | 2021-08-03 |
分類號 | B81B7/04(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 金文超;孫福河;李佳;季鋒;聞永祥 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州士蘭集昕微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;楊思雨 |
地址 | 310018浙江省杭州市錢塘新區(qū)10號大街(東)308號13幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種微機電傳感器的背腔的制造方法,該背腔的制造方法包括:采用第一Bosch工藝在襯底中形成凹槽,第一Bosch工藝包括向襯底多次交替輸送刻蝕氣體與保護氣體,襯底具有相對的正面與背面,凹槽自襯底的背面延伸至襯底中;以及采用第二Bosch工藝將凹槽繼續(xù)延伸至襯底的正面,以形成貫穿襯底的背腔,第二Bosch工藝包括對襯底多次交替的輸送刻蝕氣體與保護氣體,其中,第一Bosch工藝在向襯底輸送刻蝕氣體的階段內(nèi)對襯底的刻蝕速率高于第二Bosch工藝在向襯底輸送刻蝕氣體的階段內(nèi)對襯底的刻蝕速率。該背腔的制造方法通過兩次Bosch工藝形成背腔并提高第一Bosch工藝中的刻蝕速率,從而提高了背腔的形成效率。 |
