一種半導(dǎo)體器件的隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110809017.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113394270A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394270A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L29/06;H01L21/762 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏志平;裴曉平;陳洪雷;孫樣慧;田浩洋 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 柳虹
地址 310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法，該隔離結(jié)構(gòu)包括：襯底，位于襯底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化層及位于第一氧化層上的多晶硅，第一氧化層和多晶硅高出襯底，且多晶硅高出第一氧化層，位于高出第一氧化層的多晶硅的側(cè)壁的側(cè)墻，側(cè)墻至少覆蓋深槽頂部的第一氧化層。側(cè)墻可以保護(hù)深槽頂部兩側(cè)的氧化層不被腐蝕掉，防止深槽頂部兩側(cè)的氧化層的損失對器件特性產(chǎn)生的不利影響，節(jié)約了工藝成本。由于最終形成的隔離結(jié)構(gòu)保留有側(cè)墻，并沒有將側(cè)墻移除，可以避免深槽附近氧化層留膜過薄而對器件性能產(chǎn)生的不利影響，對于該半導(dǎo)體工藝提供了足夠的工藝窗口。