MEMS器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110074154.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112897454A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112897454A 申請公布日 2021-06-04
分類號 B81C1/00;B81B7/02 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 季鋒;聞永祥;劉琛;吳仕劍;程燕;賀錦 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;楊思雨
地址 310018 浙江省杭州市杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種MEMS器件及其制造方法，該制造方法包括：在第一襯底上形成犧牲層；在犧牲層上形成功能層；在功能層的表面的鍵合區(qū)上形成金屬保護層；去除部分功能層形成第一通道；經(jīng)由第一通道去除部分犧牲層形成空腔，以釋放部分功能層形成可移動質(zhì)量塊；形成第一有機膜，第一有機膜覆蓋金屬保護層、功能層的表面、第一通道與空腔的內(nèi)表面；加熱第一有機膜，以使金屬保護層上的第一有機膜的有機分子被破壞；以及去除金屬保護層，以暴露鍵合區(qū)。該制造方法通過去除金屬保護層將其上的有機膜去除，從而暴露出鍵合區(qū)，其他區(qū)域的有機膜被保留，兼顧了鍵合與保護的功能。