MEMS麥克風(fēng)的制備方法及MEMS器件的犧牲層的釋放方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011528010.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112601168A 公開（公告）日 2021-04-02
申請公布號 CN112601168A 申請公布日 2021-04-02
分類號 H04R19/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 金文超;聞永祥;孫福河;楊浩;陳鑫;尤業(yè)銳 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王宏婧
地址 310012浙江省杭州市錢塘新區(qū)10號大街（東）308號13幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種MEMS麥克風(fēng)的制備方法及MEMS器件的犧牲層的釋放方法，在襯底上形成氧化層及結(jié)構(gòu)層，在結(jié)構(gòu)層的表面以及結(jié)構(gòu)層內(nèi)的釋放孔的內(nèi)壁上形成金屬氧化物層，然后利用氣相腐蝕工藝經(jīng)由釋放孔釋放氧化層。在釋放氧化層時，金屬氧化物層能夠提高結(jié)構(gòu)層在氣相腐蝕工藝中的耐熏蒸腐蝕能力，但對氧化層在氣相腐蝕工藝中的耐熏蒸腐蝕能力的影響不大，相當(dāng)于提高了結(jié)構(gòu)層和氧化層在氣相腐蝕工藝中的刻蝕選擇比，從而在保證氧化層完全釋放的情況下，避免結(jié)構(gòu)層的表面被損傷，進而提高了MEMS器件的性能和可靠性。??