半導(dǎo)體器件的隔離結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110516136.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113257735A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257735A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏志平;田浩洋;陳洪雷;孫樣慧;溫建功 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭集昕微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姚璐華
地址 310018浙江省杭州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)10號大街（東）308號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的隔離結(jié)構(gòu)及其制作方法，本申請技術(shù)方案通過硬掩膜層、第一絕緣介質(zhì)層以及第二絕緣介質(zhì)層在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成具有密閉絕緣氣隙的深槽隔離結(jié)構(gòu)，通過控制絕緣介質(zhì)層的工藝參數(shù)，能夠控制所述絕緣氣隙的形貌和尺寸，使得所述絕緣氣隙的形貌和尺寸更加穩(wěn)定，制作方法簡單、制作成本低，可重復(fù)性高，便于半導(dǎo)體器件的量產(chǎn)。