一種鈦硅合金靶材及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010154164.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111136265B | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
申請公布號 | CN111136265B | 申請公布日 | 2022-02-18 |
分類號 | B22F3/04(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C14/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | 鑄造;粉末冶金; |
發(fā)明人 | 張鳳戈;李建奎;魏鐵峰;張欠男;繆磊;張學(xué)華;岳萬祥 | 申請(專利權(quán))人 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京五洲洋和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉春成;榮紅穎 |
地址 | 100081北京市海淀區(qū)學(xué)院南路76號17幢一層101室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種鈦硅合金靶材及制造方法,屬于合金靶材制備領(lǐng)域。該方法包括:合金粉末制備步驟,將鈦源和硅源混料制成合金粉末;冷等靜壓步驟,對所述合金粉末進行冷等靜壓處理,得到壓坯;脫氣步驟,對所述壓坯進行脫氣處理;熱等靜壓步驟,對所述脫氣處理后的壓坯進行熱等靜壓處理,得到鈦硅合金靶材。鈦硅合金靶材具有致密度高、合金化程度高,無氣孔和偏析,組織均勻,晶粒細小等優(yōu)點,相對密度超過99%,平均晶粒尺寸不大于100μm。 |
