一種臺(tái)階式SiC溝槽場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)、制備方法及其器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011034646.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112310195A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112310195A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-02 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李錫光;袁昊;徐海波;胡彥飛;何艷靜;陽(yáng)志超;宋慶文;湯曉燕;郭輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞南方半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉長(zhǎng)春 |
| 地址 | 523000廣東省東莞市松山湖園區(qū)新竹路4號(hào)12棟601室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種臺(tái)階式SiC溝槽場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)、制備方法及其器件，所述終端結(jié)構(gòu)包括：SiC襯底層、位于所述SiC襯底層上的SiC外延層、位于所述SiC外延層表面的若干溝槽、位于所述若干溝槽內(nèi)的離子注入?yún)^(qū)以及位于所述SiC外延層上的鈍化層，其中，所述若干溝槽的溝槽深度從主結(jié)邊緣向外呈臺(tái)階分布。本發(fā)明提供的終端結(jié)構(gòu)通過(guò)將終端表面的若干個(gè)溝槽深度改成臺(tái)階狀，在靠近主結(jié)一側(cè)采用較深的溝槽，在終端外圍采用結(jié)深較淺的結(jié)構(gòu)，可有效降低器件終端面積；還可有效降低源區(qū)邊緣終端處的峰值電場(chǎng)，防止器件發(fā)生提前擊穿。?? |
