一種基于SIC的高壓VDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120376880.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214203695U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN214203695U 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利 申請（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機構(gòu) 廈門荔信航知專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 蘇娟
地址 361000 福建省廈門市中國(福建)自由貿(mào)易試驗區(qū)廈門片區(qū)港中路1736號205-1單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種基于SIC的高壓VDMOS器件，包括：N型重摻雜襯底，P型摻雜區(qū)，N型摻雜區(qū)，超結(jié)區(qū)，P型阱區(qū)，P型重摻雜源區(qū)，N型重摻雜源區(qū)，高K絕緣層，柵極多晶硅區(qū)，柵極電極，源極電極和漏極電極；其中漏極電極設(shè)在N型重摻雜襯底下表面，N型重摻雜襯底上設(shè)有P型摻雜區(qū)、N型摻雜區(qū)、超結(jié)區(qū)，超結(jié)區(qū)設(shè)在中間，超結(jié)區(qū)的兩側(cè)設(shè)有N型摻雜區(qū)，N型摻雜區(qū)的兩側(cè)設(shè)有P型摻雜區(qū)，在P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)上設(shè)有P型阱區(qū)，在P型阱區(qū)上設(shè)有P型重摻雜源區(qū)和N型重摻雜源區(qū)，P型重摻雜源區(qū)遠離柵結(jié)構(gòu)區(qū)，柵結(jié)構(gòu)區(qū)設(shè)在超結(jié)區(qū)上，對源極、漏極和柵極沉積金屬電極。該高壓VDMOS器件可以提高擊穿電壓和降低比導(dǎo)通電阻，在高頻條件下提高開關(guān)速度。