一種新型的高壓VDMOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120636868.6 申請日 -
公開（公告）號 CN214542246U 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN214542246U 申請公布日 2021-10-29
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利 申請（專利權）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機構 廈門荔信航知專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 馬小玲
地址 361000福建省廈門市中國（福建）自由貿易試驗區(qū)廈門片區(qū)港中路1736號205-1單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種新型的高壓VDMOS器件，其包括：N型重摻雜襯底，N型輕摻雜緩沖區(qū)，P型阱區(qū)，N型重摻雜源極區(qū)，P型重摻雜源極區(qū)，高K絕緣層，柵極多晶硅區(qū)，柵極電極，源極電極和漏極電極；漏極電極形成在N型重摻雜襯底下表面，N型重摻雜襯底上表面設有N型輕摻雜緩沖區(qū)，N型輕摻雜緩沖區(qū)上表面設有兩個P型阱區(qū)，在每個P型阱區(qū)上表面設有兩個N型重摻雜源極區(qū)和一個P型重摻雜源極區(qū)，在兩個P型阱區(qū)和N型輕摻雜緩沖區(qū)上表面設有高K絕緣層，高K絕緣層的上表面設有柵極多晶硅區(qū)，柵極多晶硅區(qū)的上表面設有柵極電極，兩個N型重摻雜源極區(qū)和一個P型重摻雜源極區(qū)的上表面設有源極電極。