一種新型的高壓槽柵MOS器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121123899.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214672630U 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN214672630U 申請公布日 2021-11-09
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利;陳彬;陳譯 申請（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機構(gòu) 廈門荔信航知專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 馬小玲
地址 361000福建省廈門市中國（福建）自由貿(mào)易試驗區(qū)廈門片區(qū)港中路1736號205-1單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種新型的高壓槽柵MOS器件，其包括：N型重摻雜襯底，N型輕摻雜緩沖區(qū)，P型阱區(qū)，P型多晶硅源極區(qū)，N型輕摻雜區(qū)，P型摻雜區(qū)，N型重摻雜源極區(qū)，氧化層，柵極多晶硅區(qū)；漏極電極設(shè)在N型重摻雜襯底下表面，N型重摻雜襯底上有N型輕摻雜緩沖區(qū)，N型輕摻雜緩沖區(qū)上有P型阱區(qū)、N型輕摻雜區(qū)和槽柵結(jié)構(gòu)區(qū)，N型輕摻雜區(qū)和槽柵結(jié)構(gòu)區(qū)設(shè)在P型阱區(qū)之間，N型輕摻雜區(qū)上設(shè)P型摻雜區(qū)，P型摻雜區(qū)上設(shè)N型重摻雜源極區(qū)；另一個P型阱區(qū)上設(shè)N型重摻雜源極區(qū)，在P型阱區(qū)上設(shè)P型多晶硅源極區(qū)；槽柵結(jié)構(gòu)區(qū)包括氧化層和柵極多晶硅區(qū)，柵極多晶硅區(qū)上設(shè)柵極電極，P型多晶硅源極區(qū)和N型重摻雜源極區(qū)上設(shè)源極電極。