一種具有分級(jí)緩沖層的VDMOS半導(dǎo)體功率器件及使用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110951288.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113685484A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113685484A 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) F16F15/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 工程元件或部件；為產(chǎn)生和保持機(jī)器或設(shè)備的有效運(yùn)行的一般措施；一般絕熱;
發(fā)明人 陳利;陳彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門(mén)芯一代集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳至誠(chéng)化育知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉英
地址 361011福建省廈門(mén)市湖里區(qū)萬(wàn)翔國(guó)際商務(wù)中心1694號(hào)2#南樓705單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有分級(jí)緩沖層的VDMOS半導(dǎo)體功率器件及使用方法，涉及半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種具有分級(jí)緩沖層的VDMOS半導(dǎo)體功率器件及使用方法，包括半導(dǎo)體主體和一級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)，所述半導(dǎo)體主體的下端固定連接有銜接座，且銜接座的下方固定連接有插腳，所述一級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)的外部設(shè)有二級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)，所述一級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)的內(nèi)部設(shè)有中空層。該具有分級(jí)緩沖層的VDMOS半導(dǎo)體功率器件及使用方法，依靠一級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)和二級(jí)緩沖結(jié)構(gòu)可以對(duì)半導(dǎo)體功率器件的外部進(jìn)行分級(jí)緩沖處理，根據(jù)使用者需要以及半導(dǎo)體的具體結(jié)構(gòu)形狀選擇相對(duì)于的緩沖機(jī)構(gòu)，其中在對(duì)于柱狀結(jié)構(gòu)的特殊半導(dǎo)體功率器件也可以組合使用一級(jí)緩沖機(jī)構(gòu)和二級(jí)緩沖結(jié)構(gòu)。