由IGBT和MOSFET構(gòu)成的混合功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)及其使用方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110961862.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113690203A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113690203A 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;B08B5/02（2006.01）I;F16F15/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利;陳彬 申請（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機構(gòu) 東莞市卓易專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏昕
地址 361011福建省廈門市湖里區(qū)萬翔國際商務(wù)中心1694號2#南樓705單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了由IGBT和MOSFET構(gòu)成的混合功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)及使用方法，涉及電力電子器件技術(shù)領(lǐng)域，包括第一基板和第二基板，第一基板頂端的兩側(cè)均固定設(shè)有IGBT，兩個IGBT的頂端均固定設(shè)有多個引針，多個引針分別通過多個引母與兩個MOSFET連接，兩個MOSFET分別固定設(shè)置在第二基板底端的兩側(cè)，兩個IGBT的兩側(cè)均接觸連接有導(dǎo)熱板，四個導(dǎo)熱板的底端均固定設(shè)有多個導(dǎo)熱桿，多個導(dǎo)熱桿均貫穿第一基板的頂端與兩個第一導(dǎo)管頂端的兩側(cè)固定連接，本發(fā)明通過導(dǎo)熱板和導(dǎo)熱桿的使用，模塊工作時產(chǎn)生的熱量傳遞至第一導(dǎo)管，對第一導(dǎo)管內(nèi)導(dǎo)熱油進行加熱，將模塊產(chǎn)生的熱量吸收轉(zhuǎn)移至導(dǎo)熱油內(nèi)，對模塊吸收散熱，避免模塊熱量過高而造成損壞，提高模塊使用壽命。