一種新型的槽柵型MOS器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120653161.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214279987U 公開(kāi)（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN214279987U 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門荔信航知專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 馬小玲
地址 361000福建省廈門市中國(guó)（福建）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)廈門片區(qū)港中路1736號(hào)205-1單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型的槽柵型MOS器件，包括：N型襯底，N型輕摻雜緩沖區(qū)，P型阱區(qū)，P型重?fù)诫s源極區(qū)，N型輕摻雜區(qū)，P型摻雜區(qū)，N型重?fù)诫s源極區(qū)，絕緣層，柵極多晶硅區(qū)，柵極電極，源極電極和漏極電極；N型襯底的下面做漏極電極，N型襯底上有N型輕摻雜緩沖區(qū)，N型輕摻雜緩沖區(qū)上有P型阱區(qū)和N型輕摻雜區(qū)，N型輕摻雜區(qū)在P型阱區(qū)之間，N型輕摻雜區(qū)上有P型摻雜區(qū)，P型摻雜區(qū)上有N型重?fù)诫s源極區(qū)，N型重?fù)诫s源極區(qū)中間有槽型柵結(jié)構(gòu)區(qū)，槽型柵結(jié)構(gòu)區(qū)貫穿N型重?fù)诫s源極區(qū)和P型摻雜區(qū)，并延伸到N型輕摻雜區(qū)，P型阱區(qū)上有P型重?fù)诫s源極區(qū)，在源極區(qū)做源極電極，柵極多晶硅區(qū)做柵極電極。該器件可以提高開(kāi)關(guān)速度。