具有復(fù)合保護層的分裂柵功率半導(dǎo)體功率器件及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110950001.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113690199A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113690199A 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/60（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利;陳彬 申請（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機構(gòu) 深圳至誠化育知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉英
地址 361011福建省廈門市湖里區(qū)萬翔國際商務(wù)中心1694號2#南樓705單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了具有復(fù)合保護層的分裂柵功率半導(dǎo)體功率器件及制備方法，涉及半導(dǎo)體功率器件制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為具有復(fù)合保護層的分裂柵功率半導(dǎo)體功率器件及制備方法，包括保護機構(gòu)、芯片體和主針腳，所述保護機構(gòu)的內(nèi)部設(shè)有基片，所述導(dǎo)熱片的下端前方設(shè)有橡膠墊塊，所述基片的后端內(nèi)部設(shè)有溝槽。該具有復(fù)合保護層的分裂柵功率半導(dǎo)體功率器件及制備方法，利用內(nèi)襯保護膜可以保持保護機構(gòu)與基片外部表面之間的貼合程度，而保護機構(gòu)也可以根據(jù)使用者的需要進行拆卸操作，靜電層和絕緣層可以對基片的外部表面進行靜電防護作用，避免半導(dǎo)體在運輸或安裝過程中產(chǎn)生靜電狀況，減少半導(dǎo)體以及芯片受損的可能性，間接的提高了半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)質(zhì)量。