一種全自對(duì)準(zhǔn)的槽柵絕緣柵雙極晶體管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110955619.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113690191A 公開（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113690191A 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) H01L23/02（2006.01）I;H01L23/12（2006.01）I;H01L23/16（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;B08B17/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳利;陳彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門芯一代集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市卓易專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 魏昕
地址 361011福建省廈門市湖里區(qū)萬(wàn)翔國(guó)際商務(wù)中心1694號(hào)2#南樓705單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種全自對(duì)準(zhǔn)的槽柵絕緣柵雙極晶體管及其制備方法，包括襯墊層，所述襯墊層的上表面設(shè)有P+層，所述P+層的上表面設(shè)有漏區(qū)，所述漏區(qū)的上表面兩側(cè)開設(shè)有漏注入?yún)^(qū)，所述漏注入?yún)^(qū)的頂部設(shè)有源區(qū)。該一種全自對(duì)準(zhǔn)的槽柵絕緣柵雙極晶體管及其制備方法，通過(guò)散熱層的多層設(shè)置，能夠充分吸收使用過(guò)過(guò)程中所產(chǎn)生的熱量，通過(guò)散熱片的設(shè)置，散熱片能夠有效的吸附第一銅層、陶瓷層和第二銅層所排出的熱量，晶體管工作時(shí)，熱量能夠通過(guò)散熱片被吸附出，從而有效的降低其溫度，通過(guò)散熱導(dǎo)管和延伸片的設(shè)置，進(jìn)一步的提高了散熱效果，使得晶體管工作時(shí)發(fā)熱損耗降低，延長(zhǎng)了使用壽命。