一種FDSOI器件的溝道制作工藝優(yōu)化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210096839.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114121677B 公開(kāi)（公告）日 2022-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN114121677B 申請(qǐng)公布日 2022-05-27
分類(lèi)號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 賀鑫;葉甜春;朱紀(jì)軍;羅軍;李彬鴻;趙杰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號(hào)1601-1607房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種FDSOI器件的溝道制作工藝優(yōu)化方法，其可使溝道減薄，以滿(mǎn)足柵極長(zhǎng)度縮短、良好短溝道效應(yīng)控制作用，同時(shí)可避免因溝道減薄而導(dǎo)致的源漏極電阻值增加、外延生長(zhǎng)源漏極缺陷等問(wèn)題出現(xiàn)，溝道制作工藝優(yōu)化方法包括以下步驟：在晶圓上生長(zhǎng)襯底，在襯底上依次制備隔離槽、溝道層、柵極層、源漏極區(qū)；對(duì)柵極層進(jìn)行選擇性刻蝕，使柵極層下方的溝道層暴露出來(lái)；選擇性氧化暴露出的溝道層，獲取第一溝道區(qū)氧化硅，第一溝道區(qū)氧化硅的厚度為第一預(yù)定厚度；刻蝕去除第一溝道區(qū)氧化硅，獲取第二刻蝕槽；在第二刻蝕槽內(nèi)氧化生長(zhǎng)第二溝道區(qū)氧化硅，第二溝道區(qū)氧化硅的厚度為第二預(yù)定厚度。