金屬柵極的制備方法及CMOS器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210107875.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114512396A 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號 CN114512396A 申請公布日 2022-05-17
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許濱濱;葉甜春;朱紀軍;李彬鴻;羅軍;趙杰;許靜;嵇彤;黎婉雯 申請（專利權）人 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應用研究院
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 510535廣東省廣州市開發(fā)區(qū)開源大道136號A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種金屬柵極的制備方法及CMOS器件的制備方法，通過將位于PMOS區(qū)域偽柵溝槽以外以及PMOS區(qū)域偽柵溝槽內(nèi)至少槽口處的P型金屬功函數(shù)層去除掉，使得PMOS區(qū)域偽柵溝槽至少槽口處的寬度增大，且PMOS區(qū)域偽柵溝槽的頂部高度也減小，從而在很大程度上減小PMOS區(qū)域偽柵溝槽的深寬比，主要是減小PMOS區(qū)域偽柵溝槽槽口處的深寬比，進而在向PMOS區(qū)域的偽柵溝槽內(nèi)填充金屬作為金屬柵電極層時，不易在PMOS區(qū)域的偽柵溝槽的頂部發(fā)生突懸而造成空洞，即改善了向PMOS區(qū)域偽柵溝槽內(nèi)填充金屬的填充效果，這將大大增加CMOS器件的可靠性，提高CMOS器件的良品率。