一種FDSOI器件的溝道制作工藝優(yōu)化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210096839.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114121677B 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114121677B 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賀鑫;葉甜春;朱紀(jì)軍;羅軍;李彬鴻;趙杰 申請（專利權(quán)）人 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號1601-1607房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種FDSOI器件的溝道制作工藝優(yōu)化方法，其可使溝道減薄，以滿足柵極長度縮短、良好短溝道效應(yīng)控制作用，同時(shí)可避免因溝道減薄而導(dǎo)致的源漏極電阻值增加、外延生長源漏極缺陷等問題出現(xiàn)，溝道制作工藝優(yōu)化方法包括以下步驟：在晶圓上生長襯底，在襯底上依次制備隔離槽、溝道層、柵極層、源漏極區(qū)；對柵極層進(jìn)行選擇性刻蝕，使柵極層下方的溝道層暴露出來；選擇性氧化暴露出的溝道層，獲取第一溝道區(qū)氧化硅，第一溝道區(qū)氧化硅的厚度為第一預(yù)定厚度；刻蝕去除第一溝道區(qū)氧化硅，獲取第二刻蝕槽；在第二刻蝕槽內(nèi)氧化生長第二溝道區(qū)氧化硅，第二溝道區(qū)氧化硅的厚度為第二預(yù)定厚度。