碳化硅冶煉方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410666277.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN104477917B | 公開(kāi)(公告)日 | 2016-08-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104477917B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-08-24 |
分類號(hào) | C01B31/36(2006.01)I | 分類 | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 朱立起;胡順武;顧小方;李佩健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇樂(lè)園新材料集團(tuán)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 連云港潤(rùn)知專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 江蘇樂(lè)園新材料集團(tuán)有限公司 |
地址 | 222000 江蘇省連云港市新浦區(qū)浦南鎮(zhèn)太平村太平路1號(hào)(永興化纖公司前面) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明是一種碳化硅冶煉方法,其步驟如下:對(duì)已選擇的將作為晶種的碳化硅進(jìn)行如下處理:破碎處理篩分處理,選取粒徑達(dá)到3~8毫米的碳化硅采用酸洗方法進(jìn)行提純處理,然后用純水進(jìn)行沖洗;以石墨電極為中心,在0~10cm內(nèi)放置6H碳化硅晶種0.1%~5%,在10cm~25cm范圍內(nèi)放置6H碳化硅晶種0.3%~8%,在25cm~40cm范圍內(nèi)放置4H碳化硅晶種1%~10%。本發(fā)明方法設(shè)計(jì)合理,可操作性強(qiáng)。通過(guò)在碳化硅冶煉中添加晶種有效地提高碳化硅生長(zhǎng)效率,有效地控制碳化硅晶型,降低能耗。 |
