硅片擴(kuò)散制結(jié)用鏈?zhǔn)酵七M(jìn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111216618.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113964027A 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN113964027A 申請公布日 2022-01-21
分類號 H01L21/225（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹育紅;張勝軍;許佳平;符黎明 申請（專利權(quán)）人 常州時創(chuàng)能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 213300江蘇省常州市溧陽市溧城鎮(zhèn)吳潭渡路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片擴(kuò)散制結(jié)用鏈?zhǔn)酵七M(jìn)方法，在鏈?zhǔn)綘t中設(shè)置奇數(shù)批加熱區(qū)段和偶數(shù)批加熱區(qū)段；僅當(dāng)奇數(shù)批硅片途徑奇數(shù)批加熱區(qū)段時，開啟奇數(shù)批加熱區(qū)段的加熱裝置對途徑的奇數(shù)批硅片進(jìn)行高溫推進(jìn)處理；未有奇數(shù)批硅片途徑奇數(shù)批加熱區(qū)段時，關(guān)閉奇數(shù)批加熱區(qū)段的加熱裝置；僅當(dāng)偶數(shù)批硅片途徑偶數(shù)批加熱區(qū)段時，開啟偶數(shù)批加熱區(qū)段的加熱裝置對途徑的偶數(shù)批硅片進(jìn)行高溫推進(jìn)處理；未有偶數(shù)批硅片途徑偶數(shù)批加熱區(qū)段時，關(guān)閉偶數(shù)批加熱區(qū)段的加熱裝置。本發(fā)明的硅片擴(kuò)散制結(jié)用鏈?zhǔn)酵七M(jìn)方法，其能對完成BSG沉積的硅片進(jìn)行高溫推進(jìn)處理，且能避免爐體以及內(nèi)部氛圍持續(xù)加熱導(dǎo)致溫度過高的問題。