一種離子注入納米強(qiáng)化層的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111579287.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114457317A | 公開(公告)日 | 2022-05-10 |
申請公布號 | CN114457317A | 申請公布日 | 2022-05-10 |
分類號 | C23C14/48(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 邱維維;王非;李曉會;包知迪 | 申請(專利權(quán))人 | 北京機(jī)械工業(yè)自動化研究所有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 100120北京市西城區(qū)德勝門外教場口街1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種離子注入納米強(qiáng)化層的制備方法,包括如下步驟:對待加工件進(jìn)行預(yù)處理,采用超聲波清洗對所述待加工件進(jìn)行離子注入前的清洗;將清洗后的所述待加工件放入真空室內(nèi),裝夾在工裝卡具上并抽真空;對所述待加工件進(jìn)行升溫;采用氣體離子源或MEVVA離子源對所述待加工件進(jìn)行非金屬離子注入;以及采用MEVVA離子源對所述待加工件進(jìn)行金屬離子注入。本發(fā)明在不改變引出離子能量的條件下,通過增加待加工件內(nèi)部原子之間的間距后,再進(jìn)行離子注入,大大提高了注入離子入射到工件表面的濃度和深度,改變了工件材料更深層次的化合物,以及強(qiáng)化相,進(jìn)一步提高了工件材料表面的硬度和抗接觸疲勞性能,從而可以進(jìn)一步延長工件改性層的壽命。 |
