一種硅壓阻式壓力傳感器芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310375752.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104425485B 公開（公告）日 2017-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN104425485B 申請(qǐng)公布日 2017-03-15
分類號(hào) H01L27/04(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹鋼;李凡亮;劉勝;付興銘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫慧思頓科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 代理人 李平
地址 430075 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷創(chuàng)業(yè)街7棟14樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種硅壓阻式壓力傳感器芯片,包括:硅壓阻式壓力傳感器基本體、隔離層、增穩(wěn)層、金屬層、接觸孔、硅襯底重?fù)诫s區(qū)，其特征在于所述硅壓阻式壓力傳感器由SOI硅片制作，在壓敏電阻下方埋有二氧化硅層，隔離層覆蓋在硅壓阻式壓力傳感器基本體上，隔離層上刻蝕有接觸孔，孔內(nèi)充有金屬，該金屬與硅襯底重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行歐姆接觸并與芯片表面的金屬層相連，增穩(wěn)層設(shè)置在隔離層上，增穩(wěn)層與接觸孔內(nèi)的金屬經(jīng)金屬層實(shí)現(xiàn)電氣連接，金屬層上形成芯片的最高電位點(diǎn)，即傳感器的供電焊盤。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是在于未大幅改動(dòng)傳統(tǒng)硅壓阻式壓力傳感器芯片的結(jié)構(gòu)前提下，只需稍微改變一下硅壓阻式壓力傳感器芯片的結(jié)構(gòu)，增加少量工藝步驟就可以顯著提升其輸出穩(wěn)定性。