碳化硅晶體的生長裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202020619456.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212834141U | 公開(公告)日 | 2021-03-30 |
申請公布號 | CN212834141U | 申請公布日 | 2021-03-30 |
分類號 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 徐良;楊新鵬;藍文安;劉建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭煒;葉繼春;占俊杰 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江博藍特半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 佟林松 |
地址 | 321000浙江省金華市南二環(huán)西路2688號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提供了一種碳化硅晶體的生長裝置,該生長裝置包括坩堝組件和籽晶固定器,所述坩堝組件包括坩堝體、石墨隔板和坩堝蓋,所述石墨隔板設(shè)置在坩堝體上部,并且石墨隔板上具有通氣孔結(jié)構(gòu),所述坩堝蓋蓋設(shè)在坩堝體上以構(gòu)成坩堝內(nèi)部容納腔;所述籽晶固定器設(shè)置在坩堝蓋內(nèi)側(cè),且位于石墨隔板上方。通過石墨隔板對向上升華的氣相物進行整流,降低生產(chǎn)成本的同時提升晶體的合格率及品質(zhì)。?? |
