碳化硅晶體生長裝置及其生長方法、碳化硅晶錠

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011511534.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112725886A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725886A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐良;曹力力;藍(lán)文安;劉建哲;余雅俊;郭煒;李京波;夏建白 申請（專利權(quán)）人 浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 金銘
地址 321000 浙江省金華市南二環(huán)西路2688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體生長裝置及其生長方法、碳化硅晶錠，該碳化硅晶體生長裝置包括石墨坩堝和加熱裝置，石墨坩堝包括呈上大下小圓臺狀的坩堝本體，所述坩堝本體包括具有開口的容納腔；所述加熱裝置可上下移動的設(shè)置在所述坩堝本體外部。該碳化硅晶體生長裝置采用外形呈上大下小圓臺狀的石墨坩堝，相對于直立結(jié)構(gòu)坩堝其能夠改變坩堝本體內(nèi)部晶體生長的溫度場，有利于生長形狀平整的大尺寸高質(zhì)量碳化硅晶錠，同時(shí)更加節(jié)約碳化硅晶體生長原料，而且加熱裝置可以相對于坩堝上下移動，能夠進(jìn)一步有利于晶錠長度的增加。