AlGaN基紫外LED外延層及其剝離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010312549.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111628055A 公開（公告）日 2020-09-04
申請公布號 CN111628055A 申請公布日 2020-09-04
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐良;藍文安;劉建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭煒;葉繼春 申請（專利權）人 浙江博藍特半導體科技股份有限公司
代理機構 北京辰權知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 浙江博藍特半導體科技股份有限公司
地址 321000浙江省金華市南二環(huán)西路2688號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種AlGaN基紫外LED外延層及其剝離方法，剝離AlGaN基紫外LED外延層的方法包括以下步驟：在藍寶石襯底上形成有序并間隔排列的多個納米柱；在所述納米柱上進行外延生長，形成AlGaN基紫外LED外延層；通過選擇性濕法刻蝕，將AlGaN基紫外LED外延層剝離下來。通過在藍寶石襯底上形成有序并間隔排列的多個納米柱，再以此納米柱進行橫向選區(qū)外延生長，形成AlGaN基紫外LED外延層；由于納米柱間的連通、不連續(xù)的特性，有利于腐蝕溶液滲入，擴展孔洞的大小，將納米柱頂端平臺與平臺上外延層腐蝕，進而實現(xiàn)易剝離效果。??