AlGaN基紫外LED外延層及其剝離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010312549.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111628055B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號(hào) CN111628055B 申請公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐良;藍(lán)文安;劉建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭煒;葉繼春 申請（專利權(quán)）人 浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 佟林松
地址 321000浙江省金華市南二環(huán)西路2688號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種AlGaN基紫外LED外延層及其剝離方法，剝離AlGaN基紫外LED外延層的方法包括以下步驟：在藍(lán)寶石襯底上形成有序并間隔排列的多個(gè)納米柱；在所述納米柱上進(jìn)行外延生長，形成AlGaN基紫外LED外延層；通過選擇性濕法刻蝕，將AlGaN基紫外LED外延層剝離下來。通過在藍(lán)寶石襯底上形成有序并間隔排列的多個(gè)納米柱，再以此納米柱進(jìn)行橫向選區(qū)外延生長，形成AlGaN基紫外LED外延層；由于納米柱間的連通、不連續(xù)的特性，有利于腐蝕溶液滲入，擴(kuò)展孔洞的大小，將納米柱頂端平臺(tái)與平臺(tái)上外延層腐蝕，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)易剝離效果。