一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410814791.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN104538526B 公開（公告）日 2017-05-24
申請公布號(hào) CN104538526B 申請公布日 2017-05-24
分類號(hào) H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;劉素娟;李金權(quán);裴曉將 申請（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 江蘇省常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括銅襯底、二維衍生膜及氮化物外延層，所述二維衍生膜位于所述銅襯底及所述氮化物外延層之間，且所述二維衍生膜附著在所述銅襯底的表面上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上。制備步驟包括在銅襯底上制備一層或兩層以上的二維衍生膜層以及在所述具有二維衍生膜層的銅襯底上生長氮化物外延層。采用本發(fā)明所述的基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)后，可以實(shí)現(xiàn)在金屬銅襯底上進(jìn)行具有較高晶體質(zhì)量的氮化物外延生長，不僅節(jié)約了成本，而且改善了器件光、電、熱學(xué)性能。