一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510041269.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104638071A 公開（公告）日 2015-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN104638071A 申請(qǐng)公布日 2015-05-20
分類號(hào) H01L33/02(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;李金權(quán);裴曉將;劉素娟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京中科天順信息技術(shù)有限公司;江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地十街1號(hào)院2號(hào)樓17層1711室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括復(fù)合襯底、一層以上的二維衍生膜及氮化物外延層；所述二維衍生膜位于所述復(fù)合襯底及所述氮化物外延層之間，且所述二維衍生膜附著在所述復(fù)合襯底上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上；其中，所述復(fù)合襯底由導(dǎo)電襯底及附著在所述導(dǎo)電襯底上的功能金屬薄膜層組成。氮化物L(fēng)ED外延片的制作方法如下：首先，在導(dǎo)電襯底上制作功能金屬薄膜層，形成復(fù)合襯底；然后，在復(fù)合襯底上制作二維衍生膜；之后，進(jìn)行氮化物外延層生長，依次生長：n型緩沖層、n型電子注入層、有源層和p型空穴注入層。使用本方案制備的LED外延片具有制作垂直結(jié)構(gòu)的大功率LED器件。