一種使用SiC襯底的氮化物LED外延結(jié)構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410666107.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104393128B 公開（公告）日 2017-03-15
申請公布號 CN104393128B 申請公布日 2017-03-15
分類號 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;李金權;裴曉將;劉素娟 申請（專利權）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機構 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 213241 江蘇省常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種使用SiC襯底的氮化物LED外延結(jié)構及其制備方法，包括SiC襯底、二維衍生膜及氮化物外延層，所述二維衍生膜位于所述SiC襯底及所述氮化物外延層之間，且所述二維衍生膜附著在所述SiC襯底的表面上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上；其中，所述二維衍生膜由一層或兩層以上的二維納米片材料制成，所述二維納米片材料包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼和三碳化硼中的任意一種或兩種以上的組合。本發(fā)明在氮化物LED外延層與SiC襯底之制作一層或兩層以上的二維衍生薄膜，使其既能保證氮化物外延層生長的順利進行，又可以在剝離過程有助于襯底與外延層的分離，極大地簡化了剝離過程，提高了良率、降低了成本。