一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED垂直芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410814716.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104576862B 公開（公告）日 2017-08-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN104576862B 申請(qǐng)公布日 2017-08-25
分類號(hào) H01L33/14(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;劉素娟;李金權(quán);裴曉將 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 213241 江蘇省常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED垂直芯片及其制備方法，包括n型電極、二維衍生膜、氮化物外延層和p型電極，所述二維衍生膜附著在所述n型電極上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上，所述p型電極附著在所述氮化物外延層上。在制備完成基于銅襯底的氮化物L(fēng)ED外延片后，使用穿孔工藝，從銅襯底的背面開孔至緩沖層或n型電子注入層；制作金屬溝道結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)與n型電子注入層的歐姆接觸，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)n型電子注入層與銅襯底的導(dǎo)通；在p型空穴注入層頂部制作p型電極。本發(fā)明所述氮化物L(fēng)ED垂直芯片具有更好的電流擴(kuò)展、更低的熱阻和更高的可靠性等特征，非常適合大電流密度驅(qū)動(dòng)、高光功率密度輸出的應(yīng)用方向。